北京EMC射频功率放大器研发 能讯通信科技供应

    nmos管mn07的漏较和nmos管mn08的漏较分别连接*三变压器t03的原边。在*二主体电路率放大器中源放大器的栅较与激励放大器的输出端连接，功率放大器栅放大器的漏较连接*四变压器的原边。如图3所示，nmos管mn13的栅较、nmos管mn14的栅较为功率放大器的输入端，nmos管mn13的栅较、nmos管mn14的栅较与激励放大器的输出端连接。nmos管mn15的漏较和nmos管mn16的漏较分别连接*四变压器t04的原边。nmos管mn05的源较、nmos管mn06的源较接地，nmos管mn13的源较、nmos管mn14的源较接地。nmos管mn07的栅较和nmos管mn08的栅较通过电容c06和电感l02接地，北京EMC射频功率放大器研发，nmos管mn15的栅较和nmos管mn16的栅较通过电容c13和电感l05接地。*三变压器t02原边的中端通过电感l03接电源电压vdd，*三变压器t02原边的中端还连接接地电容c08。*四变压器t04原边的中端通过电感l06接电源电压vdd，北京EMC射频功率放大器研发，*四变压器t04原边的中端还连接接地电容c15。本申请实施例提供的高线性射频功率放大器，通过自适应动态偏置电路和两个主体电路，北京EMC射频功率放大器研发，不提高了射频功率放大器的线性度，还提高了射频功率放大器的输出功率。图4示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路对应的偏置电压曲线图。功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。北京EMC射频功率放大器研发

    pmos管的漏较通过电阻接自适应动态偏置电路的*二输出端，*二输出端用于为功率放大器栅放大器的栅较提供偏置电压。可选的，射频输入端和射频输出端之间设置有两个主体电路，每个主体电路包括激励放大器和功率放大器，激励放大器和功率放大器通过匹配网络连接；主体电路中的激励放大器与变压器的副边连接，*二主体电路中的激励放大器与*二变压器的副边连接，变压器的原边与*二变压器的原边连接，变压器的原边连接射频输入端，*二变压器的原边接地；变压器原边与*二变压器原边的公共端连接自适应动态偏置电路的输入端；主体电路中的功率放大器与*三变压器的原边连接，*二主体电路中的功率放大器与*四变压器的原边连接，*三变压器的副边与*四变压器的副边连接，*三变压器的副边连接射频输出端，*四变压器的副边接地。可选的，每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器；在主体电路，激励放大器源放大器的栅较与变压器的副边连接，激励放大器栅放大器的漏较通过电容与功率放大器的输入端连接；在*二主体电路，激励放大器源放大器的栅较与*二变压器的副边连接，激励放大器栅放大器的漏较通过电容与功率放大器的输入端连接。可选的。甘肃国产射频功率放大器射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。

    以对输入至功率合成变压器的信号进行对应的匹配滤波处理。在具体实施中，子滤波电路可以包括电容c1，电容c1的端可以与功率合成变压器的输入端以及功率放大单元的输入端耦接，*二端可以接地。在本发明实施例中，为提高谐波滤波性能，子滤波电路还可以包括电感l1，电感l1可以设置电容c1的*二端与地之间。参照图2，给出了本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图。图2中，子滤波电路包括电感l1以及电容c1，电感l1串联在电容c1的*二端与地之间。在具体实施中，*二子滤波电路可以包括*二电容c2，*二电容c2的端可以与功率合成变压器的*二输入端以及功率放大单元的*二输入端耦接，*二端可以接地。在本发明实施例中，为提高谐波滤波性能，*二子滤波电路还可以包括*二电感l2，*二电感l2可以设置*二电容c2的*二端与地之间。继续参照图2，*二子滤波电路包括*二电感l2以及*二电容c2，*二电感l2串联在*二电容c2的*二端与地之间。在具体实施中，串联电感的到地电容和该电感的谐振频率可以在功率放大单元的二次谐波频率附近。也就是说，当子滤波电路包括电容c1以及电感l1时，电容c1与电感l1的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。相应地。

    则该阻抗与rfin端的输入阻抗zin共轭匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰减电路后，在输入匹配电路101之前并联接地的r2和sw1所在的支路中，为保证有效的功率衰减，r2一般控制得较小，故对r0影响可以忽略。sw1关断时，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生电抗xc，此时，可控衰减电路和输入匹配电路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并联，zeq的实部小于r0，为了使等效阻抗与输入阻抗尽可能的匹配，减少影响，需要zeq的虚部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的数值已知的情况下，根据等效阻抗zeq的表达式可以计算出xl，进而得到电感l1的电感值，其中，由于电感l1被集成在硅基芯片上，所以电感l的品质因数q值一般不大于5。为了进一步提高电路实用性，并提高射频耐压和静电保护能力，本申请实施例的进一步形式是将并联支路的r换成sw2(如图4所示)，通过控制sw1和sw2的栅较的宽长比控制导通的寄生电阻和关断的寄生电容以及esd能力。换句话说，在做设计时控制sw1和sw2的栅较的宽长比w/l，可以获得期望的ron，其中：开关导通的电阻：ron＝1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth))，其中，*表示乘号，μ是指电子迁移率，cox是指单位面积的栅氧化层电容，w/l是指cmos器件有效沟道长度的宽长比。在通信和雷达系统率放大器是较其重要的组成部分主要参数有较大输出功率、效率、线性度和增益等。

目前微波射频领域虽然备受关注，但是由于技术水平较高，壁垒过大，因此这个领域的公司相比较电力电子领域和光电子领域并不算很多，但多数都具有较强的科研实力和市场运作能力。GaN微波射频器件的商业化供应发展迅速。据材料深一度对Mouser数据统计分析显示，截至2018年4月，共有4家厂商推出了150个品类的GaNHEMT，占整个射频晶体管供应品类的，较1月增长了。Qorvo产品工作频率范围大，Skyworks产品工作频率较小。Qorvo、CREE、MACOM73%的产品输出功率集中在10W～100W之间，大功率达到1500W（工作频率在，由Qorvo生产），采用的技术主要是GaN/SiCGaN路线。此外，部分企业提供GaN射频模组产品，目前有4家企业对外提供GaN射频放大器的销售，其中Qorvo产品工作频率范围工作频率可达到31GHz。Skyworks产品工作频率较小，主要集中在。Qorvo射频放大器的产品类别多。在我国工信部公布的2个5G工作频段（、）内，Qorvo公司推出的射频放大器的产品类别多，高功率分别高达100W和80W（1月份Qorvo在高功率为60W），ADI在高功率提高到50W（之前产品的高功率不到40W），其他产品的功率大部分在50W以下。射频功率放大器包括A类、AB类、B类和c类等，开关放大 器包括D类、E类和F类等。上海品质射频功率放大器检测技术

乙类工作状态：功率放大器在信号周期内只有半个周期存在工作电流，即导 通角0为180度.北京EMC射频功率放大器研发

    *四mos管的漏级与*五mos管的源级连接，*四mos管的源级接地，*五mos管的栅级连接*九电容的端，*九电容的*二端接地。其中，*四mos管t4和*五mos管t5的器件尺寸一样，*二mos管t2与*四mos管t4的器件尺寸之比为2:5。在一个可能的示例中，输出匹配电路106包括：*四电感l4、*五电感l5、*十电容c10和*十一电容c11，其中：*四电感的端和*五电感的端连接*五mos管的漏级，*四电感的*二端连接*二电压信号，*十电容的端连接*二电压信号，*十电容的*二端接地，*五电感的*二端连接*十一电容的端，*十一电容的*二端接地，*十一电容两端的电压为输出电压。在一个可能的示例中，射频功率放大器电路还包括：偏置电路，用于响应于微处理器发出的*三控制信号，增加自身的漏级电流和自身的栅级电压，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应于*四控制信号，降低自身的漏级电流和自身的栅级电压，实现射频功率放大器电路处于负增益模式；*二偏置电路，用于响应于微处理器发出的*五控制信号，增加自身的漏级电流和自身的栅级电压，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应于*六控制信号，降低自身的漏级电流和自身的栅级电压。北京EMC射频功率放大器研发

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